Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Пакет/кейс
TO-220-3 Full Pack
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
40 nC @ 4.5 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
2780 pF @ 25 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C
36A (Tc)
Пакет устройств поставщика
TO-220CFM
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 30A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)
33.7W (Tc)