Тип полевого транзистора
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Пакет устройств поставщика
4-HVMDIP
Пакет/кейс
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C
1A (Ta)
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.3W (Ta)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
180 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
540mOhm @ 600mA, 10V