Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Пакет устройств поставщика
TO-220AB
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C
4A (Tc)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
200 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
8.7 nC @ 10 V
Рассеиваемая мощность (макс.)
43W (Tc)