IRFD9220
Номер запчасти
IRFD9220
Классификация продуктов
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель
EIC Semiconductor, Inc.
Описание
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
Пакет
Упаковка
Количество
1600
Состояние RoHS
NO
Поделиться
PDF:
Запасы
Количество
Количество
Цены
Общая стоимость
Тип монтажа
Through Hole
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Пакет устройств поставщика
4-HVMDIP
Пакет/кейс
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Рассеиваемая мощность (макс.)
1W (Ta)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
340 pF @ 25 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C
560mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 340mA, 10V
Новейшие продукты
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP