Тип полевого транзистора
N-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C
120A (Tc)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Пакет устройств поставщика
TO-247-4
Технологии
SiCFET (Cascode SiCJFET)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
12V
Vgs(th) (Макс) @ Id
6V @ 10mA
Рассеиваемая мощность (макс.)
789W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 50A, 12V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
214 nC @ 15 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
8360 pF @ 100 V