• image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TPH3208LDG
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TPH3208LDG
:
:

1

$12.2192

$12.2192

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TPH3208LDG
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TPH3208LDG
TPH3208LDG
TPH3208LDG
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Transphorm
GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
-
Трубка
9
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительTransphorm
Ряд-
УпаковкаТрубка
Статус продуктаOBSOLETE
Пакет/кейс3-PowerDFN
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C20A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs130mOhm @ 13A, 8V
Рассеиваемая мощность (макс.)96W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id2.6V @ 300µA
Пакет устройств поставщика3-PQFN (8x8)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±18V
Напряжение стока к источнику (Vdss)650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs14 nC @ 8 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds760 pF @ 400 V
captcha
0
0.622805s