Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C
20A (Tc)
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
760 pF @ 400 V
Пакет устройств поставщика
3-PQFN (8x8)
Рассеиваемая мощность (макс.)
96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 13A, 8V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.6V @ 300µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
14 nC @ 8 V