Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C
17A (Tc)
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
8V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.6V @ 500µA
Пакет устройств поставщика
3-PQFN (8x8)
Рассеиваемая мощность (макс.)
96W (Tc)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
9.3 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 8V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
760 pF @ 480 V