Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C
16A (Tc)
Рассеиваемая мощность (макс.)
81W (Tc)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
6.2 nC @ 4.5 V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.6V @ 500µA
Пакет устройств поставщика
4-PQFN (8x8)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 10A, 8V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
720 pF @ 480 V