Тип полевого транзистора
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет устройств поставщика
TO-220AB
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C
15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
900 V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.6V @ 500µA
Рассеиваемая мощность (макс.)
78W (Tc)
Технологии
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
10 nC @ 8 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
205mOhm @ 10A, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
780 pF @ 600 V