TP90H180PS
Номер запчасти
TP90H180PS
Классификация продуктов
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель
PermaSafe Surface and Air Sanitation Solutions
Описание
GANFET N-CH 900V 15A TO220AB
Пакет
Упаковка
Количество
1600
Состояние RoHS
NO
Поделиться
PDF:
Запасы
Количество
Количество
Цены
Общая стоимость
Тип монтажа
Through Hole
Тип полевого транзистора
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет устройств поставщика
TO-220AB
Пакет/кейс
TO-220-3
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C
15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
900 V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.6V @ 500µA
Vgs (Max)
±18V
Рассеиваемая мощность (макс.)
78W (Tc)
Технологии
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
10 nC @ 8 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
205mOhm @ 10A, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
780 pF @ 600 V
Новейшие продукты
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP