Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C
15A (Tc)
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Рассеиваемая мощность (макс.)
69W (Tc)
Пакет устройств поставщика
3-PQFN (8x8)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.8V @ 500µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
7.1 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
576 pF @ 400 V