Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C
13A (Tc)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Рассеиваемая мощность (макс.)
52W (Tc)
Пакет устройств поставщика
3-PQFN (8x8)
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.8V @ 500µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 8.5A, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
598 pF @ 400 V