TP65H150G4LSG
Номер запчасти
TP65H150G4LSG
Классификация продуктов
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель
PermaSafe Surface and Air Sanitation Solutions
Описание
GAN FET N-CH 650V PQFN
Пакет
Tray
Упаковка
Количество
4434
Состояние RoHS
NO
Поделиться
PDF:
Запасы
Количество
Количество
Цены
Общая стоимость
3000
$2.59
$7770
Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C
13A (Tc)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Рассеиваемая мощность (макс.)
52W (Tc)
Пакет устройств поставщика
3-PQFN (8x8)
Пакет/кейс
3-PowerTDFN
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.8V @ 500µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 8.5A, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
598 pF @ 400 V
Новейшие продукты
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP