• image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H150G4LSG
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H150G4LSG
:
:

1

$5.6672

$5.6672

10

$5.0848

$50.8480

100

$4.1664

$416.6400

500

$3.5504

$1,775.2000

1000

$2.9904

$2,990.4000

3000

$2.6320

$7,896.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H150G4LSG
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H150G4LSG
TP65H150G4LSG
TP65H150G4LSG
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Transphorm
GAN FET N-CH 650V PQFN
-
Поднос
2834
Продукты параметры
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительTransphorm
Ряд-
УпаковкаПоднос
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс3-PowerTDFN
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C13A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs180mOhm @ 8.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)52W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id4.8V @ 500µA
Пакет устройств поставщика3-PQFN (8x8)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs8 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds598 pF @ 400 V
captcha
0
0.968596s