Тип полевого транзистора
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеиваемая мощность (макс.)
150W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Пакет устройств поставщика
TO-247-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.8V @ 700µA
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1000 pF @ 400 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C
36A (Tc)
Технологии
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)