• image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H050WS
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H050WS
:
:

1

$19.7904

$19.7904

30

$16.0160

$480.4800

120

$15.0752

$1,809.0240

510

$13.6640

$6,968.6400

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H050WS
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H050WS
TP65H050WS
TP65H050WS
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Transphorm
GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
-
Трубка
317
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительTransphorm
Ряд-
УпаковкаТрубка
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-247-3
Тип монтажаThrough Hole
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C34A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs60mOhm @ 22A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)119W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id4.8V @ 700µA
Пакет устройств поставщикаTO-247-3
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)12V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs24 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1000 pF @ 400 V
captcha
0
0.590202s