TP65H050WS
Номер запчасти
TP65H050WS
Классификация продуктов
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель
PermaSafe Surface and Air Sanitation Solutions
Описание
GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
Пакет
Tube
Упаковка
Количество
1917
Состояние RoHS
NO
Поделиться
PDF:
Запасы
Количество
Количество
Цены
Общая стоимость
1
$19.44
$19.44
30
$15.73
$471.9
120
$14.81
$1777.2
510
$13.42
$6844.2
Тип монтажа
Through Hole
Тип полевого транзистора
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C
34A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Пакет/кейс
TO-247-3
Пакет устройств поставщика
TO-247-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.8V @ 700µA
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1000 pF @ 400 V
Рассеиваемая мощность (макс.)
119W (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
12V
Технологии
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Новейшие продукты
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP