TP65H035WSQA
Номер запчасти
TP65H035WSQA
Классификация продуктов
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель
PermaSafe Surface and Air Sanitation Solutions
Описание
GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3
Пакет
Tube
Упаковка
Количество
2140
Состояние RoHS
NO
Поделиться
PDF:
Запасы
Количество
Количество
Цены
Общая стоимость
1
$23.44
$23.44
60
$19.43
$1165.8
120
$18.22
$2186.4
540
$15.54
$8391.6
Тип монтажа
Through Hole
Оценка
Automotive
Тип полевого транзистора
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Квалификация
AEC-Q101
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Пакет/кейс
TO-247-3
Пакет устройств поставщика
TO-247-3
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 1mA
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1500 pF @ 400 V
Рассеиваемая мощность (макс.)
187W (Tc)
Технологии
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C
47.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
41mOhm @ 32A, 10V
Новейшие продукты
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP