TP65H035WS
Номер запчасти
TP65H035WS
Классификация продуктов
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель
PermaSafe Surface and Air Sanitation Solutions
Описание
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Пакет
Tube
Упаковка
Количество
1902
Состояние RoHS
NO
Поделиться
PDF:
Запасы
Количество
Количество
Цены
Общая стоимость
1
$15.46
$15.46
30
$14.09
$422.7
Тип монтажа
Through Hole
Тип полевого транзистора
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Пакет/кейс
TO-247-3
Пакет устройств поставщика
TO-247-3
Рассеиваемая мощность (макс.)
156W (Tc)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
12V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C
46.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
41mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.8V @ 1mA
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1500 pF @ 400 V
Технологии
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Новейшие продукты
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP