Тип полевого транзистора
N-Channel
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Пакет устройств поставщика
TO-247-3
Рассеиваемая мощность (макс.)
156W (Tc)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
12V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C
46.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
41mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.8V @ 1mA
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1500 pF @ 400 V
Технологии
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)