Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технологии
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Пакет устройств поставщика
PG-TO247-3
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C
8A
Drain to Source Voltage (Vdss)
1700 V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 10mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 2A, 20V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
16 nC @ 1200 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
142 pF @ 1000 V
Рассеиваемая мощность (макс.)
88W