Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технологии
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Пакет устройств поставщика
PG-TO247-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 20A, 20V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C
36A
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.8V @ 100µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.8V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
60 nC @ 600 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1001 pF @ 800 V
Рассеиваемая мощность (макс.)
198W