Тип монтажа
Surface Mount
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
900mV @ 250µA
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C
6.2A (Ta)
Пакет устройств поставщика
6-WLCSP (1.48x0.98)
Пакет/кейс
6-XFBGA, WLCSP
Рассеиваемая мощность (макс.)
556mW (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 3A, 4.5V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
29.4 nC @ 4.5 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1400 pF @ 6 V