Тип полевого транзистора
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Рабочая Температура
175°C (TJ)
Пакет устройств поставщика
TO-220-3
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
9000 pF @ 25 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C
82A (Tc)
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.8W (Ta), 143W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 41A, 10V