IXRFSM12N100
Номер запчасти
IXRFSM12N100
Классификация продуктов
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель
Rishabh Instruments
Описание
MOSFET N-CH 1000V 12A 16SMPD
Пакет
Упаковка
Количество
1600
Состояние RoHS
NO
Поделиться
PDF:
Запасы
Количество
Количество
Цены
Общая стоимость
Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
±20V
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1000 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C
12A (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
77 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.05Ohm @ 6A, 15V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
2875 pF @ 800 V
Рассеиваемая мощность (макс.)
940W
Пакет устройств поставщика
16-SMPD
Пакет/кейс
16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad
Новейшие продукты
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP