IV1Q12160T4

Главная страница Продуктовый центр Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы полевые транзисторы, МОП-транзисторы Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

IV1Q12160T4

Номер запчасти

IV1Q12160T4

Классификация продуктов

Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

Производитель

Chapin

Описание

SIC MOSFET, 1200V 160MOHM, TO-24

Пакет

Tube

Упаковка

Количество

1706

Состояние RoHS

PDF：

Запрос цены

Запасы

Количество

Отправить запрос

Количество

Цены

Общая стоимость

Получение информации о предложениях

Параметры продукции

Тип монтажа

Through Hole

Тип полевого транзистора

N-Channel

Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200 V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

20V

Vgs (Max)

+20V, -5V

Пакет устройств поставщика

TO-247-4

Пакет/кейс

TO-247-4

Технологии

SiCFET (Silicon Carbide)

Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C

20A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

195mOhm @ 10A, 20V

Vgs(th) (Макс) @ Id

2.9V @ 1.9mA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

43 nC @ 20 V

Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds

885 pF @ 800 V

Рассеиваемая мощность (макс.)

138W (Tc)

Новейшие продукты

EIC Semiconductor, Inc.

IRF510

MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB

Узнать больше

EIC Semiconductor, Inc.

IRF9510

MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB

Узнать больше

EIC Semiconductor, Inc.

IRFD9220

MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP

Узнать больше

EIC Semiconductor, Inc.

IRF840

MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB

Узнать больше

EIC Semiconductor, Inc.

IRFD110

MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP

Узнать больше

EIC Semiconductor, Inc.

IRFD9113

MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP

Узнать больше

EIC Semiconductor, Inc.

IRFD210

MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP

Узнать больше

EIC Semiconductor, Inc.

IRFD9110

MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP

Узнать больше

contact@fastechnic.ru

Fastechnic ЛИМИТЕД

Адрес:Мастериала 60, 3/F, блок А, промышленный центр Восточного Солнца №16 Шинг Ип Стрит Коулун Гонконг

Контактный номер: Почтовый ящик：contact@fastechnic.ru

Сканировать QR-код для мобильных