• image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IV1Q12050T4
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IV1Q12050T4
:
:

1

$41.4848

$41.4848

10

$36.8592

$368.5920

100

$32.2448

$3,224.4800

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IV1Q12050T4
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IV1Q12050T4
IV1Q12050T4
IV1Q12050T4
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Inventchip Technology
SIC MOSFET, 1200V 50MOHM, TO-247
-
Трубка
0
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительInventchip Technology
Ряд-
УпаковкаТрубка
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-247-4
Тип монтажаThrough Hole
Рабочая Температура-55°C ~ 175°C (TJ)
ТехнологииSiCFET (Silicon Carbide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C58A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs65mOhm @ 20A, 20V
Рассеиваемая мощность (макс.)344W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id3.2V @ 6mA
Пакет устройств поставщикаTO-247-4
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)20V
ВГС (Макс)+20V, -5V
Напряжение стока к источнику (Vdss)1200 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs120 nC @ 20 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds2750 pF @ 800 V
captcha
0
0.516440s