Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Тип полевого транзистора
P-Channel
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
390 pF @ 25 V
Пакет устройств поставщика
4-HVMDIP
Пакет/кейс
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C
1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 600mA, 10V