Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет устройств поставщика
TO-220AB
Тип полевого транзистора
P-Channel
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1200 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)
125W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C
11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
500mOhm @ 6.6A, 10V