• image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE11N70FP
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE11N70FP
:
:

50

$3.7968

$189.8400

250

$3.5504

$887.6000

500

$3.2480

$1,624.0000

1000

$2.9904

$2,990.4000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE11N70FP
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE11N70FP
ICE11N70FP
ICE11N70FP
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
IceMOS Technology
Superjunction MOSFET
-
Трубка
50
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительIceMOS Technology
Ряд-
УпаковкаТрубка
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Тип монтажаThrough Hole
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C11A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs270mOhm @ 5.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)35W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id3.5V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаTO-220FP
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)700 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs81 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds2816 pF @ 100 V
captcha
0
0.818919s