• image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE11N70
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE11N70
:
:

50

$3.8304

$191.5200

1000

$3.5840

$3,584.0000

5000

$3.2816

$16,408.0000

15000

$3.0240

$45,360.0000

25000

$2.8000

$70,000.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE11N70
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE11N70
ICE11N70
ICE11N70
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
IceMOS Technology
Superjunction MOSFET
-
Трубка
100
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительIceMOS Technology
Ряд-
УпаковкаТрубка
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-220-3
Тип монтажаThrough Hole
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C11A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs25mOhm @ 5.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)108W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id3.5V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаTO-220
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)700 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs85 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds2750 pF @ 25 V
captcha
0
0.432797s