Тип полевого транзистора
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
2750 pF @ 25 V
Пакет устройств поставщика
TO-220
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
85 nC @ 10 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C
11A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
700 V
Рассеиваемая мощность (макс.)
108W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 5.5A, 10V