ICE10N60B
Номер запчасти
ICE10N60B
Классификация продуктов
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель
Matsuo Electric Co., LTD
Описание
Superjunction MOSFET
Пакет
Tape & Reel (TR)
Упаковка
Количество
3200
Состояние RoHS
NO
Поделиться
PDF:
Запасы
Количество
Количество
Цены
Общая стоимость
Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1250 pF @ 25 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C
10A (Tc)
Пакет устройств поставщика
TO-263
Пакет/кейс
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.9V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Рассеиваемая мощность (макс.)
95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
330mOhm @ 5A, 10V
Новейшие продукты
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
EIC Semiconductor, Inc.
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP