HTNFET-DC

Главная страница Продуктовый центр Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы полевые транзисторы, МОП-транзисторы Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

HTNFET-DC

Номер запчасти

HTNFET-DC

Классификация продуктов

Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

Производитель

Basler

Описание

MOSFET N-CH 55V 8-DIP

Пакет

Упаковка

Количество

1600

Состояние RoHS

PDF：

Запрос цены

Запасы

Количество

Отправить запрос

Количество

Цены

Общая стоимость

Получение информации о предложениях

Параметры продукции

Тип монтажа

Through Hole

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55 V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

Рассеиваемая мощность (макс.)

50W (Tj)

Vgs (Max)

10V

Vgs(th) (Макс) @ Id

2.4V @ 100µA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

4.3 nC @ 5 V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

400mOhm @ 100mA, 5V

Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds

290 pF @ 28 V

Пакет/кейс

8-CDIP Exposed Pad

Новейшие продукты

EIC Semiconductor, Inc.

IRF510

MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB

Узнать больше

EIC Semiconductor, Inc.

IRF9510

MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB

Узнать больше

EIC Semiconductor, Inc.

IRFD9220

MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP

Узнать больше

EIC Semiconductor, Inc.

IRF840

MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB

Узнать больше

EIC Semiconductor, Inc.

IRFD110

MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP

Узнать больше

EIC Semiconductor, Inc.

IRFD9113

MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP

Узнать больше

EIC Semiconductor, Inc.

IRFD210

MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP

Узнать больше

EIC Semiconductor, Inc.

IRFD9110

MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP

Узнать больше

contact@fastechnic.ru

Fastechnic ЛИМИТЕД

Адрес:Мастериала 60, 3/F, блок А, промышленный центр Восточного Солнца №16 Шинг Ип Стрит Коулун Гонконг

Контактный номер: Почтовый ящик：contact@fastechnic.ru

Сканировать QR-код для мобильных