Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1400 pF @ 20 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C
45A (Tc)
Рассеиваемая мощность (макс.)
33W (Tc)
Пакет устройств поставщика
8-PPAK (3.1x3.05)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.2mOhm @ 8A, 10V