• image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GPI90005DF88
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GPI90005DF88
GPI90005DF88
GaNFET N-CH 900V 5A DFN8x8
-
Лента и катушка (TR)
1
:
:

1

$3.5056

$3.5056

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GPI90005DF88
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GPI90005DF88
GPI90005DF88
GPI90005DF88
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
GaNPower
GaNFET N-CH 900V 5A DFN8x8
-
Лента и катушка (TR)
50
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительGaNPower
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-DFN
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C5A
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs320mOhm @ 1A, 6V
Vgs(th) (Макс) @ Id1.3V @ 3.5mA
Пакет устройств поставщика8-DFN (8x8)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)6V
ВГС (Макс)+7.5V, -12V
Напряжение стока к источнику (Vdss)900 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs1.6 nC @ 6 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds39 pF @ 400 V
captcha
0
0.703790s