• image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GPI65015DFN
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GPI65015DFN
GPI65015DFN
GANFET N-CH 650V 15A DFN 8X8
-
Лента и катушка (TR)
1
:
:

1

$8.4000

$8.4000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GPI65015DFN
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GPI65015DFN
GPI65015DFN
GPI65015DFN
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
GaNPower
GANFET N-CH 650V 15A DFN 8X8
-
Лента и катушка (TR)
180
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительGaNPower
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсDie
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C15A
Vgs(th) (Макс) @ Id1.2V @ 3.5mA
Пакет устройств поставщикаDie
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)6V
ВГС (Макс)+7.5V, -12V
Напряжение стока к источнику (Vdss)650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs3.3 nC @ 6 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds116 pF @ 400 V
captcha
0
0.822193s