• image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GPI65008DF56
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GPI65008DF56
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GPI65008DF56
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GPI65008DF56
GPI65008DF56
GANFET N-CH 650V 8A DFN5X6
-
Лента и катушка (TR)
1
:
:

1

$4.4800

$4.4800

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GPI65008DF56
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GPI65008DF56
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GPI65008DF56
GPI65008DF56
GPI65008DF56
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
GaNPower
GANFET N-CH 650V 8A DFN5X6
-
Лента и катушка (TR)
100
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительGaNPower
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсDie
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C8A
Vgs(th) (Макс) @ Id1.4V @ 3.5mA
Пакет устройств поставщикаDie
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)6V
ВГС (Макс)+7.5V, -12V
Напряжение стока к источнику (Vdss)650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs2.1 nC @ 6 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds63 pF @ 400 V
captcha
0
0.716148s