• image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>FBG30N04CC
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>FBG30N04CC
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>FBG30N04CC
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>FBG30N04CC
FBG30N04CC
GAN FET HEMT 300V4A COTS 4FSMD-C
-
Масса
169
:
:

1

$356.2160

$356.2160

10

$333.6368

$3,336.3680

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>FBG30N04CC
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>FBG30N04CC
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>FBG30N04CC
FBG30N04CC
FBG30N04CC
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
EPC Space
GAN FET HEMT 300V4A COTS 4FSMD-C
-
Масса
0
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительEPC Space
Ряд-
УпаковкаМасса
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс4-SMD, No Lead
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C4A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs404mOhm @ 4A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id2.8V @ 600µA
Пакет устройств поставщика4-SMD
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)5V
ВГС (Макс)+6V, -4V
Напряжение стока к источнику (Vdss)300 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs2.6 nC @ 5 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds450 pF @ 150 V
captcha
0
0.758299s