FBG10N30BC

Главная страница Продуктовый центр Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы полевые транзисторы, МОП-транзисторы Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

FBG10N30BC

Номер запчасти

FBG10N30BC

Классификация продуктов

Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

Производитель

Flexcon Test Connectors

Описание

GAN FET HEMT100V30A COTS 4FSMD-B

Пакет

Bulk

Упаковка

Количество

1781

Состояние RoHS

PDF：

Запрос цены

Запасы

Количество

Отправить запрос

Количество

Цены

Общая стоимость

Получение информации о предложениях

Параметры продукции

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет/кейс

4-SMD, No Lead

Тип полевого транзистора

N-Channel

Drain to Source Voltage (Vdss)

100 V

Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

Технологии

GaNFET (Gallium Nitride)

Vgs (Max)

+6V, -4V

Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C

30A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 30A, 5V

Vgs(th) (Макс) @ Id

2.5V @ 5mA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

11 nC @ 5 V

Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds

1000 pF @ 50 V

Пакет устройств поставщика

4-SMD

Новейшие продукты

EIC Semiconductor, Inc.

IRF510

MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB

Узнать больше

EIC Semiconductor, Inc.

IRF9510

MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB

Узнать больше

EIC Semiconductor, Inc.

IRFD9220

MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP

Узнать больше

EIC Semiconductor, Inc.

IRF840

MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB

Узнать больше

EIC Semiconductor, Inc.

IRFD110

MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP

Узнать больше

EIC Semiconductor, Inc.

IRFD9113

MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP

Узнать больше

EIC Semiconductor, Inc.

IRFD210

MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP

Узнать больше

EIC Semiconductor, Inc.

IRFD9110

MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP

Узнать больше

contact@fastechnic.ru

Fastechnic ЛИМИТЕД

Адрес:Мастериала 60, 3/F, блок А, промышленный центр Восточного Солнца №16 Шинг Ип Стрит Коулун Гонконг

Контактный номер: Почтовый ящик：contact@fastechnic.ru

Сканировать QR-код для мобильных