EPC7014UBC

Главная страница Продуктовый центр Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы полевые транзисторы, МОП-транзисторы Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

EPC7014UBC

Номер запчасти

EPC7014UBC

Классификация продуктов

Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

Производитель

Flexcon Test Connectors

Описание

GAN FET HEMT 60V 1A COTS 4UB

Пакет

Bulk

Упаковка

Количество

1682

Состояние RoHS

PDF：

Запрос цены

Запасы

Количество

Отправить запрос

Количество

Цены

Общая стоимость

Получение информации о предложениях

Параметры продукции

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет/кейс

4-SMD, No Lead

Тип полевого транзистора

N-Channel

Drain to Source Voltage (Vdss)

60 V

Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

Технологии

GaNFET (Gallium Nitride)

Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C

1A (Tc)

Пакет устройств поставщика

4-SMD

Rds On (Max) @ Id, Vgs

580mOhm @ 1A, 5V

Vgs(th) (Макс) @ Id

2.5V @ 140µA

Vgs (Max)

+7V, -4V

Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds

22 pF @ 30 V

Новейшие продукты

EIC Semiconductor, Inc.

IRF510

MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB

Узнать больше

EIC Semiconductor, Inc.

IRF9510

MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB

Узнать больше

EIC Semiconductor, Inc.

IRFD9220

MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP

Узнать больше

EIC Semiconductor, Inc.

IRF840

MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB

Узнать больше

EIC Semiconductor, Inc.

IRFD110

MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP

Узнать больше

EIC Semiconductor, Inc.

IRFD9113

MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP

Узнать больше

EIC Semiconductor, Inc.

IRFD210

MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP

Узнать больше

EIC Semiconductor, Inc.

IRFD9110

MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP

Узнать больше

contact@fastechnic.ru

Fastechnic ЛИМИТЕД

Адрес:Мастериала 60, 3/F, блок А, промышленный центр Восточного Солнца №16 Шинг Ип Стрит Коулун Гонконг

Контактный номер: Почтовый ящик：contact@fastechnic.ru

Сканировать QR-код для мобильных