1
$1.7920
$1.7920
10
$1.4672
$14.6720
100
$1.1424
$114.2400
500
$0.9632
$481.6000
1000
$0.7840
$784.0000
2500
$0.7392
$1,848.0000
5000
$0.7056
$3,528.0000
12500
$0.6720
$8,400.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | EPC |
| Ряд | eGaN® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | Die |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 10A (Ta) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 10A, 5V |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 2mA |
| Пакет устройств поставщика | Die |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 5V |
| ВГС (Макс) | +6V, -4V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 40 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 2.5 nC @ 5 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 300 pF @ 20 V |
