• image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>EPC2007
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>EPC2007
EPC2007
EPC
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
-
Лента и катушка (TR)
1000
:
:

1000

$1.0416

$1,041.6000

2000

$0.9968

$1,993.6000

5000

$0.9520

$4,760.0000

10000

$0.9296

$9,296.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>EPC2007
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>EPC2007
EPC2007
EPC2007
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
EPC
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
-
Лента и катушка (TR)
0
1
Продукты параметры
PDF(1)
PDF(2)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительEPC
РядeGaN®
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаOBSOLETE
Пакет/кейсDie
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-40°C ~ 125°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C6A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs30mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 1.2mA
Пакет устройств поставщикаDie
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)5V
ВГС (Макс)+6V, -5V
Напряжение стока к источнику (Vdss)100 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs2.8 nC @ 5 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds205 pF @ 50 V
captcha
0
0.741901s