• image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>AS2M040120P
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>AS2M040120P
:
:

1

$23.1728

$23.1728

10

$20.5968

$205.9680

100

$18.0096

$1,800.9600

500

$15.3664

$7,683.2000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>AS2M040120P
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>AS2M040120P
AS2M040120P
AS2M040120P
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Anbon Semiconductor
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
-
Масса
50
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительAnbon Semiconductor
Ряд-
УпаковкаМасса
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-247-3
Тип монтажаThrough Hole
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииSiCFET (Silicon Carbide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C60A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs55mOhm @ 40A, 20V
Рассеиваемая мощность (макс.)330W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id4V @ 10mA
Пакет устройств поставщикаTO-247-3
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)20V
ВГС (Макс)+25V, -10V
Напряжение стока к источнику (Vdss)1200 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs142 nC @ 20 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds2946 pF @ 1000 V
captcha
0
0.468628s