AS1M080120P

Главная страница Продуктовый центр Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы полевые транзисторы, МОП-транзисторы Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

AS1M080120P

Номер запчасти

AS1M080120P

Классификация продуктов

Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

Производитель

Ultra Librarian

Описание

N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER

Пакет

Tube

Упаковка

Количество

1692

Состояние RoHS

PDF：

Запрос цены

Запасы

Количество

Отправить запрос

Количество

Цены

Общая стоимость

Получение информации о предложениях

Параметры продукции

Тип монтажа

Through Hole

Тип полевого транзистора

N-Channel

Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Пакет/кейс

TO-247-3

Пакет устройств поставщика

TO-247-3

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200 V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

20V

Технологии

SiCFET (Silicon Carbide)

Vgs (Max)

+25V, -10V

Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C

36A (Tc)

Vgs(th) (Макс) @ Id

4V @ 5mA

Рассеиваемая мощность (макс.)

192W (Tc)

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

79 nC @ 20 V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

98mOhm @ 20A, 20V

Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds

1475 pF @ 1000 V

Новейшие продукты

EIC Semiconductor, Inc.

IRF510

MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB

Узнать больше

EIC Semiconductor, Inc.

IRF9510

MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB

Узнать больше

EIC Semiconductor, Inc.

IRFD9220

MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP

Узнать больше

EIC Semiconductor, Inc.

IRF840

MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB

Узнать больше

EIC Semiconductor, Inc.

IRFD110

MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP

Узнать больше

EIC Semiconductor, Inc.

IRFD9113

MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP

Узнать больше

EIC Semiconductor, Inc.

IRFD210

MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP

Узнать больше

EIC Semiconductor, Inc.

IRFD9110

MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP

Узнать больше

contact@fastechnic.ru

Fastechnic ЛИМИТЕД

Адрес:Мастериала 60, 3/F, блок А, промышленный центр Восточного Солнца №16 Шинг Ип Стрит Коулун Гонконг

Контактный номер: Почтовый ящик：contact@fastechnic.ru

Сканировать QR-код для мобильных