TP65H150G4LSG
零件编号：
TP65H150G4LSG
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
PermaSafe Surface and Air Sanitation Solutions
描述：
GAN FET N-CH 650V PQFN
封装：
Tray
包装：
数量：
4434
RoHS 状态：
NO
PDF：
库存
安装类型
Surface Mount
场效应管类型
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
13A (Tc)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs
8 nC @ 10 V
功耗（最大）
52W (Tc)
供应商设备包
3-PQFN (8x8)
包装/箱
3-PowerTDFN
Vgs(th)（最大值）@Id
4.8V @ 500µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 8.5A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds
598 pF @ 400 V
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