IRFD210
零件编号：
IRFD210
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
EIC Semiconductor, Inc.
描述：
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
封装：
包装：
数量：
1600
RoHS 状态：
NO
库存
安装类型
Through Hole
场效应管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th)（最大值）@Id
4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
供应商设备包
4-HVMDIP
包装/箱
4-DIP (0.300", 7.62mm)
功耗（最大）
1W (Ta)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
600mA (Ta)
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds
140 pF @ 25 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs
8.2 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 360mA, 10V
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