IRFD110
零件编号：
IRFD110
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
EIC Semiconductor, Inc.
描述：
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
封装：
包装：
数量：
1600
RoHS 状态：
NO
库存
安装类型
Through Hole
场效应管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
±20V
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th)（最大值）@Id
4V @ 250µA
供应商设备包
4-HVMDIP
包装/箱
4-DIP (0.300", 7.62mm)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
1A (Ta)
功耗（最大）
1.3W (Ta)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs
8.3 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds
180 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
540mOhm @ 600mA, 10V
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