RM12N650T2
零件编号：
RM12N650T2
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
CUI Inc (Bel Power Solutions)
描述：
MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220-3
封装：
Tube
包装：
数量：
3600
RoHS 状态：
NO
库存
安装类型
Through Hole
场效应管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
包装/箱
TO-220-3
Vgs (Max)
±30V
Vgs(th)（最大值）@Id
4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
供应商设备包
TO-220-3
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
11.5A (Tc)
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds
870 pF @ 50 V
功耗（最大）
101W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 7A, 10V
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