QS1200SCM36
零件编号：
QS1200SCM36
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
AEM, Inc.
描述：
1200V 36AMP SiC Mosfet
封装：
Tube
包装：
数量：
2577
RoHS 状态：
NO
库存
安装类型
Through Hole
年级
Automotive
工作温度
-55°C ~ 175°C
场效应管类型
N-Channel
包装/箱
TO-247-3
技术
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Vgs (Max)
+25V, -10V
供应商设备包
PG-TO247-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 20A, 20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
36A
Vgs(th)（最大值）@Id
3.8V @ 100µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.8V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs
60 nC @ 600 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds
1001 pF @ 800 V
功耗（最大）
198W
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