HTNFET-D
零件编号：
HTNFET-D
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
Basler
描述：
MOSFET N-CH 55V 8CDIP
封装：
包装：
数量：
1600
RoHS 状态：
NO
PDF：
库存
安装类型
Through Hole
场效应管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
功耗（最大）
50W (Tj)
工作温度
-55°C ~ 225°C (TJ)
Vgs (Max)
10V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.4V @ 100µA
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs
4.3 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 100mA, 5V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds
290 pF @ 28 V
供应商设备包
8-CDIP-EP
包装/箱
8-CDIP Exposed Pad
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