G12P10KE

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G12P10KE

零件编号：

G12P10KE

产品分类：

单 FET、MOSFET

制造商：

Goford Semiconductor

描述：

P-100V,ESD,-12A,RD(MAX)<200M@-10

封装：

Tape & Reel (TR)

包装：

数量：

2924

RoHS 状态：

PDF：

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总价

2500

$0.22

$550

5000

$0.21

$1050

12500

$0.2

$2500

25000

$0.2

$5000

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产品参数

安装类型

Surface Mount

技术

MOSFET (Metal Oxide)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)

100 V

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

场效应管类型

P-Channel

包装/箱

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

供应商设备包

TO-252

Vgs(th)（最大值）@Id

3V @ 250µA

电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C

12A (Tc)

栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs

33 nC @ 10 V

功耗（最大）

57W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200mOhm @ 6A, 10V

输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds

1720 pF @ 50 V

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