EPC2019
零件编号：
EPC2019
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
Fox Electronics
描述：
GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
封装：
Tape & Reel (TR)
包装：
数量：
97661
RoHS 状态：
NO
库存
安装类型
Surface Mount
包装/箱
Die
供应商设备包
Die
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
场效应管类型
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Vgs (Max)
+6V, -4V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
8.5A (Ta)
Vgs(th)（最大值）@Id
2.5V @ 1.5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
42mOhm @ 7A, 5V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs
2.9 nC @ 5 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds
288 pF @ 100 V
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