EPC2012
零件编号：
EPC2012
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
Fox Electronics
描述：
GANFET N-CH 200V 3A DIE
封装：
包装：
数量：
1600
RoHS 状态：
NO
库存
安装类型
Surface Mount
工作温度
-40°C ~ 125°C (TJ)
包装/箱
Die
供应商设备包
Die
场效应管类型
N-Channel
Vgs(th)（最大值）@Id
2.5V @ 1mA
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
3A (Ta)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs
1.8 nC @ 5 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 3A, 5V
Vgs (Max)
+6V, -5V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds
145 pF @ 100 V
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