CGD65B130S2-T13
零件编号：
CGD65B130S2-T13
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
Cambridge GaN Devices
描述：
650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN5X6.
封装：
Tape & Reel (TR)
包装：
数量：
6485
RoHS 状态：
NO
库存
安装类型
Surface Mount
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
包装/箱
8-PowerVDFN
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
供应商设备包
8-DFN (5x6)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
12A (Tc)
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
FET Feature
Current Sensing
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
9V, 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
182mOhm @ 900mA, 12V
Vgs(th)（最大值）@Id
4.2V @ 4.2mA
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs
2.3 nC @ 12 V
Vgs (Max)
+20V, -1V
最新产品
contact@fastechnic.ru
Fastechnic LIMITED
地址：WORKSHOP 60, 3/F, BLOCK A,EAST SUN INDUSTRIAL CENTRE NO.16 SHING YIP STREET KOWLOON HONG KONG
联系电话：
邮箱：contact@fastechnic.ru
移动端扫码