AS1M080120P
零件编号：
AS1M080120P
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
Ultra Librarian
描述：
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
封装：
Tube
包装：
数量：
1692
RoHS 状态：
NO
库存
安装类型
Through Hole
场效应管类型
N-Channel
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
包装/箱
TO-247-3
供应商设备包
TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
20V
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)
+25V, -10V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id
4V @ 5mA
功耗（最大）
192W (Tc)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs
79 nC @ 20 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
98mOhm @ 20A, 20V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds
1475 pF @ 1000 V
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